삼성전자, 세계 최초 HBM4E 12단 샘플 출하

삼성전자, 세계 최초 HBM4E 12단 샘플 출하

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삼성전자가 고대역폭 메모리(HBM) 시장에서 압도적인 기술력을 증명하며 세계 최초로 7세대 HBM 제품인 HBM4E 12단 샘플을 고객사에 공급하기 시작했습니다.
이번 성과는 인공지능(AI) 가속기 시장의 핵심 공급권을 선점하고 차세대 AI 데이터센터 수요에 선제적으로 대응하기 위한 중요한 발판입니다.
출하된 제품의 주요 특징과 기술적 배경, 그리고 시장에 미치는 영향은 다음과 같습니다.

HBM4E 12단 제품의 주요 기술 특징

* 비약적인 속도와 대역폭 향상

   데이터가 오가는 통로의 핀당 동작 속도가 최소 14Gbps에서 최대 16Gbps에 달합니다.
이는 직전 세대인 HBM4와 비교했을 때 20% 이상 향상된 수치입니다.
한 번에 보낼 수 있는 데이터 전송량인 대역폭은 단일 스택 기준 초당 약 3.6TB에서 4TB를 구현합니다.
1초에 풀HD 영화 수백 편을 전송할 수 있는 수준으로, 거대언어모델(LLM)을 활용한 복잡한 연산을 끊김 없이 처리하도록 돕습니다.

* 최초의 32Gb D램 코어 적용 및 용량 확대

   단일 칩 내부에 들어가는 기본 D램 단위를 기존 24Gb에서 32Gb로 키웠습니다.
이 32Gb D램 칩을 총 12층으로 촘촘히 쌓아 올려 하나의 패키지로 만든 결과, 단일 제품 용량이 기존 36GB에서 48GB로 30% 이상 증가했습니다.
용량이 커진 만큼 AI 서버가 한 번에 기억하고 처리할 수 있는 데이터의 양도 크게 늘어납니다.

* 발열 억제 및 전력 효율 극대화

   고성능 AI 연산 과정에서는 막대한 열이 발생하고 전력 소모가 극심해집니다.
삼성전자는 저전력 설계 기술과 최적화된 패키징 구조를 적용해 HBM4 대비 에너지 효율을 16% 개선했습니다.
또한 열 저항 특성을 14% 이상 향상하여 칩 내부에서 발생하는 열을 더 빠르게 밖으로 방출하도록 만들었습니다.

공정의 안정성과 기술 경쟁력

삼성전자는 이번 HBM4E 제품 제조에 미세 공정 최신 세대인 1c D램(10나노급 6세대 D램)과 4나노미터 로직 다이(베이스 다이) 공정을 적용했습니다.
이미 양산 궤도에 올려 성능 검증을 마친 HBM4의 핵심 제조 공정 플랫폼을 차세대 제품인 HBM4E에도 고스란히 이식했기 때문에, 완전히 새로운 공정을 도입할 때 발생할 수 있는 초기 불량이나 수율 저하 문제를 줄였습니다.
이를 통해 대량 생산 체제로 전환할 때 필요한 안정성과 양산성을 동시에 확보했습니다.

시장 및 생태계에 미치는 파급 효과

* 엔비디아 차세대 가속기 시장 선점

   HBM4E는 글로벌 AI 칩 선두 주자인 엔비디아가 선보일 차세대 가속기(예: 베라 루빈 울트라 등)에 핵심적으로 탑재될 부품입니다.
삼성전자가 경쟁사보다 한발 앞서 핵심 샘플 공급에 성공하면서 글로벌 가속기 업체들과의 파트너십에서 주도권을 잡게 되었습니다.

* 원스톱 턴키 솔루션의 강점

   삼성전자는 메모리 제조뿐만 아니라 파운드리(위탁생산), 시스템LSI, 첨단 패키징을 모두 한 회사 안에서 소화할 수 있는 유일한 원스톱 솔루션 기업입니다.
칩을 설계하고 만들고 쌓아서 패키징하는 전 과정을 일원화하여 제공할 수 있기 때문에, 맞춤형 HBM을 원하는 고객사 입장에서는 공급 안정성과 개발 속도 면에서 강력한 이점을 가집니다.

* 시장에서의 평가와 기대감

   과거 HBM3E 세대에서는 초기 공급 주도권을 놓치며 고전하기도 했으나, HBM4 세계 최초 양산에 이어 7세대인 HBM4E 샘플까지 가장 먼저 출하하면서 기술 리더십을 완벽하게 회복했다는 평가를 받습니다.
이와 같은 기술적 독주 체제 구축에 힙입어 시장의 기대감이 반영되며 최근 삼성전자의 기업 시가총액이 사상 처음으로 2000조 원을 돌파하는 등 시장에서도 강한 신뢰를 보여주고 있습니다.

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