SK하이닉스, 주요 공급사에 차세대 HBM4E 12단 샘플 공급 시작

SK하이닉스, 주요 공급사에 차세대 HBM4E 12단 샘플 공급 시작

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SK하이닉스가 차세대 인공지능 메모리인 7세대 고대역폭메모리, HBM4E 12단 제품의 샘플을 주요 고객사에 공급하기 시작했습니다.
이번 공급은 대량 양산에 앞서 글로벌 빅테크 등 핵심 고객사들이 제품의 성능과 호환성을 검증하는 첫 단계로, AI 시장 주도권을 지키기 위한 중요한 개발 시간표 상의 이정표입니다.

이번에 공급된 HBM4E 12단 제품의 구체적인 특징과 기술적 진보는 크게 네 가지 영역으로 나누어 설명할 수 있습니다.

첫째, 처리 속도와 전력 효율성이 동시에 대폭 향상되었습니다.
HBM4E는 데이터가 오가는 통로인 핀 하나당 최대 16Gbps(초당 기가비트)의 속도를 구현했습니다.
이는 방대한 데이터를 실시간으로 처리해야 하는 최신 생성형 AI의 학습과 추론 성능을 극대화할 수 있는 수준입니다.
여기에 성능을 높이면서도 전력 효율은 이전 세대 모델 대비 20% 이상 개선했습니다.
전력 소모와 공급 문제가 화두인 글로벌 AI 데이터센터의 운영 비용 부담을 크게 덜어줄 수 있는 핵심 요소입니다.

둘째, 메모리의 집적도와 용량이 크게 늘어났습니다.
이번 제품은 단 12단만을 쌓아 올려 총 48GB(기가바이트)의 고용량을 구현해 냈습니다.
직전 세대인 HBM4의 경우 동일한 48GB 용량을 확보하려면 16단을 쌓아야 했던 반면, HBM4E는 반도체 단일 칩(DRAM 다이) 당 용량을 기존 3GB에서 4GB로 늘리면서 단수를 줄였습니다.
이 덕분에 물리적인 탑재 공간을 아끼고 고성능 AI 가속기를 설계할 때 칩의 두께나 구조적 배치 면에서 훨씬 높은 유연성을 확보할 수 있게 되었습니다.

셋째, 고질적인 발열 문제를 해결하기 위한 패키징 기술이 진화했습니다.
고성능 반도체일수록 발생하는 열을 다스리는 것이 성능 유지의 관건입니다.
SK하이닉스는 이번 제품에도 독자적인 공정인 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용했습니다.
반도체 칩을 쌓은 뒤 칩 사이의 미세한 회로 틈새를 액체 형태의 보호재로 채워 굳히는 방식입니다.
이를 통해 칩의 구조적 안정성을 단단히 다졌을 뿐만 아니라, 기존 HBM4 대비 열 저항 능력을 약 17% 개선하여 칩이 과열되어 성능이 강제로 저하되는 현상을 효과적으로 방지합니다.

넷째, 커스텀 AI 반도체 시대로의 전환과 시장 경쟁 구도의 심화입니다.
HBM4 세대부터는 범용 제품을 넘어 메모리 최하단의 베이스 다이를 고객사 맞춤형 공정으로 제작하는 맞춤형 설계가 중심이 됩니다.
그렇기 때문에 주요 고객사들의 차세대 AI 가속기 규격에 맞춰 초기에 샘플을 검증받는 슬롯을 선점하는 것이 어느 때보다 중요합니다.
현재 SK하이닉스는 글로벌 HBM 시장에서 절반이 넘는 약 58%의 점유율로 독주 체제를 유지하고 있으며, 약 3주 전 먼저 샘플 공급 소식을 알린 삼성전자와의 기술 선점 경쟁도 이번 공급을 기점으로 더욱 치열하게 전개될 것으로 보입니다.

SK하이닉스의 개발총괄 사장은 파트너들과의 긴밀한 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현하여 AI 메모리 시장에서의 기술 리더십을 공고히 하겠다고 밝혔습니다.
이번 샘플 공급이 계획된 일정대로 순항함에 따라, 향후 고객사 인증 작업이 마무리되는 대로 본격적인 적기 양산 체제에 돌입할 전망입니다.

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